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[問題求助] 關於ESD input and output pin 保護電路設計

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9#
發表於 2008-12-8 09:51:12 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

请教“INPUT的IO需要加上CDM的doide”,是因为gate oxide 更容易被击穿?
8#
發表於 2008-12-7 21:00:41 | 只看該作者
补充一点,INPUT的IO需要加上CDM的doide,而在OUTPUT的IO上并不需要。
7#
發表於 2008-12-4 20:45:42 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

基本正确!
6#
發表於 2008-12-4 18:02:54 | 只看該作者
原帖由 cthsu1 於 2008-9-8 11:07 PM 發表
* S0 @6 E2 c5 C4 O+ c  M類比電路的 IO 通常要注意,
# E2 b# R: X8 U8 N2 e由於不能加電阻,: z6 G0 h, e. o; P4 F8 C
所以對於 Output 來說,
$ O% q4 L1 T% R當輸出級的 Width不夠大,就會被打死,, ]0 P* w* L3 J  [6 k7 R
一般適用 Diodes + RC-Control PowerClamp 來解決

" C2 x/ L# {, A7 N, A
1 J5 m5 x$ \7 z8 S/ k: d如果模拟电路的输出级采用ESD规则layout,IO上采用GGNMOS和GDPMOS保护,是不是就不需要Diodes + RC-Control PowerClamp 结构电路保护?
5#
發表於 2008-9-8 23:07:26 | 只看該作者
類比電路的 IO 通常要注意,* d5 `* g3 n6 Q7 V- i
由於不能加電阻,( ~$ V; \' Y0 d1 N( s0 }. j
所以對於 Output 來說,- V- ]6 ]5 E# b
當輸出級的 Width不夠大,就會被打死,
3 o4 N# a& A8 a( u7 H  y一般適用 Diodes + RC-Control PowerClamp 來解決
4#
發表於 2008-7-20 00:56:08 | 只看該作者
我覺得如果是類比電路這邊的I/O應該沒有太大的區別,基本上輸入輸出I/O是一樣的,如果走電流的I/O我們自行把metal加寬就好了(如果綫寬不够),甚至有時為了减少I/O上的電源域(避免esd保護網絡的電源過于太亂),都可以把信號i/o用在電源i/o上(但是你要確定你的esd-bus綫路的電阻足够小,tsmc要求clamp到每個i/o小于3歐姆);如果是數字i/o就不一樣了,輸入輸出就有區別,有不同的triple-state電路控制信號進出,還有時序控制,poc,buffer的不同,這些都是要考慮的。5 ^7 s+ E" a! Q, d4 B
6 Y. T9 Q# }7 M6 ]. P2 ]
請指教!謝謝
3#
發表於 2008-7-19 00:22:56 | 只看該作者
For input pins, you may put PDIO + NDIO + small resistor to protect the gate oxide' Q2 f2 p1 J8 h. [  g& J
For output pins, you may directly use GDPMOS and GGNMOS or use the output switch (if large enough) to forward the current to power / ground for +ve and -ve ESD pulse respectively) v7 W7 }1 w* b  O  D. i

. Z; w8 A, g) t) Many other suggestion?
2#
發表於 2008-7-18 09:13:11 | 只看該作者
Usually, for CMOS process, PAD of input pin connects to gates of MOS only and PAD of output pin connects to drains of MOS only. The gate an drain of MOS has different breakdown voltage (BV) value. So , in some cases, different ESD protection design are needed for different pin types.
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