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[問題求助] 關於ESD input and output pin 保護電路設計

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1#
發表於 2008-7-15 17:15:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
這邊有人會保護電路設計嗎 ?
" v/ l2 E! b& f. i3 k4 t我想問在input  pin  以及 output pin 用的保護電路有些不同
4 L; C5 ^, X. |. {'+ X' u2 s; S/ g
那我在設計上在input  pin 設計時有哪些要注意
$ O. h) T. B# f7 b! @' N, Voutput pin 設計時有哪些要注意
* e, E/ B& t$ F這2個pin 有沒有甚麼規定有些電路input  pin 並不適用於 output pin
0 |/ @* w9 T5 _" E* G5 X那設計上需考慮甚麼呢?
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28#
發表於 2021-8-25 09:57:36 | 只看該作者
感謝大大的分享,受益無窮
6 W: a- u% j6 N! o. {( |  ~' X6 e2 [+ G/ ^; Q! u6 o9 d9 ]
謝謝
27#
發表於 2012-10-20 15:02:46 | 只看該作者
学习了,谢谢大家啊~~~~~~~~~~~~~~
26#
發表於 2012-7-12 12:19:45 | 只看該作者
学习学习!!!!!!
25#
發表於 2012-1-2 09:45:52 | 只看該作者
回復 20# ihcnqkm
. `  l9 O! C; l' [6 ]& W& q" }2 K, h, T
0 z7 b! G; @& g# Z) F; C: x
    很有用啊 ~谢谢各位的提点
24#
發表於 2011-12-6 08:42:20 | 只看該作者
谢谢诸位的分享,
23#
發表於 2011-11-2 10:18:02 | 只看該作者
如果在輸出端加CDM,那輸出端的ESD MOS等於白做% w) K% b( q" O! `& u( m1 u
$ @8 y5 `  o  {- X% r+ H! ]
一般CDM diode size相較ESD MOS size來說小的多1 l( ]- O/ Y& w0 R7 O
如果同時加上CDM diode,肯定會先死在CDM diode上。
22#
發表於 2010-5-27 10:56:55 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
21#
發表於 2010-5-10 14:38:41 | 只看該作者
Per my experience ,Diodes + RC-Control , inverter and PowerClamp is better for out pad
( D% M# }. l8 W: `7 D! VGenerally speaking ,the root cause of ESD failed is from below.
  a7 |9 L% I+ k6 h9 x- H<i>clamp NMOS's ability.0 y8 \4 b& E- F7 Q2 G
<ii>clamp NMOS's turn-on rate.# `  i3 O5 d8 F3 m+ Z) O8 o- h
<iii>Not follow design rule........................ r, I4 {' e' w  M6 u
As we know ,RC-control is to keep clamp NMOS off when IC is on normal operation.(us)$ K( O! ]  k5 E2 c
When sufferred ESD pulse(ns),GGNMOS be turned on by coupling .
) U) u$ ?! P$ M& g, ?If adding inverter between RC and clamp NMOS,it will speed up clamp NMOS turned on.
0 ]3 V5 B; R8 r% s' V/ zJust for reference !!!
20#
發表於 2010-2-9 09:05:09 | 只看該作者
so many talented guys. I learnt a lot. Thank you very much !!
19#
發表於 2010-1-29 14:16:23 | 只看該作者
回復 13# cthsu1
1 D( D4 D. y7 r7 g: L* i% t" o5 [/ A  {% A% r  c6 U: P" C6 |
不是很了解,请详述之,谢谢
18#
發表於 2010-1-20 18:50:26 | 只看該作者
又上了一課!感謝各位大大分享經驗
17#
發表於 2009-9-1 13:34:39 | 只看該作者
真是太長見識了。謝謝各位大大的分享!!!!!!!!
16#
發表於 2009-7-26 22:13:03 | 只看該作者

小弟才疏

類比電路的話' _4 v0 o9 B4 P. q
INPUT通常大家都用N-diode and P-diode5 w: \" C$ I! H) k, s9 ^, m; m/ `
如果gate前有個限流電阻就更棒了0 e9 j# ?1 s: I3 j2 r5 b
原因是diode寄生電容小又好作又簡單
! G2 m7 M( t& \( e( [OUTPUT端的話通常是用output buffer的n p mos摟
1 N2 w% M8 s" o) _, D: s" P不過最好在加個power clamp" Q1 r: k+ I! G' `) Y
power clamp通常都用RC gate trigger NMOS
. y  F  v  B# R! E& E1 s有power clamp的話IO to IO test比較容易過  ; q  Q; n. `- x% H: x, t
不過我講的都是最簡單的電路
6 m0 t3 n: w# z! A$ j* [HV, mixed-voltage, RF CKT.就不太能這樣搞了& L" n/ R! D1 |
( X+ Q8 j" y( ?2 z. I( i
小弟才疏
15#
發表於 2009-7-16 19:07:51 | 只看該作者
That's correct ! Normally the input pin is gate, so add current limiting resistor won't change the story. For the output pin, it is different!
14#
發表於 2009-5-25 21:21:26 | 只看該作者
小弟在此說出淺見# g% G7 P  _2 G
關於ESD input and output pin 保護電路設計
  x* k7 R" T) f& K0 B  V) O" zinput and output pin 最大不同處是input可以加限流電阻(電阻要加多少還是要下模擬)
, F/ Z) W/ {( o7 K! Poutput則不太能加限流電阻,原因是會影響輸出電流
1 t5 c6 j( H! [( ?: n3 \所以輸出級的元件都會依照符合ESD規定( ]9 t* \, C1 `& Q4 F
因此輸入和輸出ESD會有一點點不太同
13#
發表於 2009-3-11 04:54:06 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Input 可以  Output 不行  原因可以自己先想一想
12#
發表於 2009-2-4 11:02:41 | 只看該作者
明白,谢谢
. v: ^2 F& W6 A, ~6 g还要注意由于引入cdm而产生的latchup问题。
11#
發表於 2008-12-16 16:43:22 | 只看該作者
只需要在gate和body之間連上一個diode即可  j- {8 r6 E6 K0 u5 T* @
因為cdm是從substrate透過gate oxide流到 input pad (假設此pad接地)/ A1 c9 N) f6 ?
若加上cdm diode,它能提供一條捷徑從substrate流到input pad

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10#
發表於 2008-12-12 17:55:39 | 只看該作者
原帖由 zsybook 於 2008-12-7 09:00 PM 發表
, l8 N* [, W4 H补充一点,INPUT的IO需要加上CDM的doide,而在OUTPUT的IO上并不需要。

6 _; i+ q# s5 u6 f; x# R6 a$ g, ?3 Y7 U& s" d( X' `
请教INPUT的IO需要加上CDM的doide是什么,怎么加?
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