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英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理 Frank Schwertlein 表示:「英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今,英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商,提供汽車產業客戶因應未來,符合 RoHS 且環保之 MOSFET,協助客戶開發節能的『綠色』產品。」
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# g# ]5 ]8 ]" M9 A, r5 _英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術採用擴散焊接,可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60µm,標準為 175µm),為功率半導體提供多項改良: k* p" l1 j; l3 r/ `. e' U
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· 環保的技術:不使用鉛及其他有毒物質。2 j- j! B/ O, W# v
· 擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程:大幅降低封裝的導通電阻值 RDS(on)。4 ]% m8 `5 {, g8 D
· 熱阻 (RthJC) 改善率高達 40- 50%:傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了MOSFET 接面之散熱。, K) Q7 C7 D9 w3 T S
· 其他優點還包括:由於沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(on) 與 RthJC 分佈,提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力,也提升了產品可靠性和品質。 / V- ?5 N% }% \% b+ t6 H
1 ?- b f% w3 x1 G7 [4 K從新款 OptiMOS T2 40V (如:IPB160N04S4-02D,160A) 的規格得知,其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品,其導通電阻降低了約 20% 。此外,英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗,讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。 0 s: X# A9 ]( w z7 g: o
- e, N$ q# r, U. i7 e4 f6 c0 h8 ]* @
OtpiMOS T2 為業界率先採用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET,系列產品包括IPB160N04S4-02D ( 160A, TO-263 封裝)、 IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。 |
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