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[問題求助] P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好

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1#
發表於 2008-5-17 10:08:44 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好?
他到底有什麼迷人之處可以請各位先進幫我結答一下嗎?
是跟MOS移動的載子有關嗎?
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 樓主| 發表於 2008-5-17 22:39:28 | 只看該作者
但是要截止他要正電壓不是嗎?那只不過是跟NMOS相反而以?
要怎麼能凸顯她比N<MOS好呢?
28#
發表於 2022-10-13 18:53:47 | 只看該作者
感謝大大們分享,讓我在類比路上更精進
27#
發表於 2015-11-20 18:27:45 | 只看該作者
各有優缺點吧
不會只有一個比較好
26#
發表於 2015-3-7 20:18:52 | 只看該作者
受益良多…

以往電池組,利用NMOS 切低端。利用PMOS切高端。
確實,現在是利用NMOS來切高端。
25#
發表於 2014-6-26 14:45:04 | 只看該作者
tks,同意以目前的電池組應用來說,NMOS放在High side是趨勢的說法
24#
發表於 2014-4-24 16:52:28 | 只看該作者
挖~~~   看完大大們的解釋   受益良多啊!!!!
23#
發表於 2014-4-22 21:40:22 | 只看該作者
感謝大大們的分享,獲益良多。
22#
發表於 2013-4-14 14:25:52 | 只看該作者
high side NMOS 要求 source/body to substrate isolation, device需求高且結構相對較複雜
21#
發表於 2013-2-27 22:30:36 | 只看該作者
因為上橋PMOS的gate接到0就可以打開了,若用NMOS可能要用更高的電壓才能打開
20#
發表於 2012-11-29 09:22:14 | 只看該作者
製程上,NMOS較PMOS來的複雜,相對價格提高,但NMOS的電子移動速率比較快,某些時候還是會用到NMOS。
19#
發表於 2011-11-2 18:04:04 | 只看該作者
價格差異!
製程差異!
以目前的電池組應用來說,NMOS放在High side是趨勢,
但相對的控製IC的設計就增加困難了!需要有Boost電路.
18#
發表於 2011-6-20 18:28:05 | 只看該作者
本帖最後由 patrick02046 於 2011-6-20 06:30 PM 編輯

建議作者可以用以下標題尋找nmos 與 pmos區別:

1. 結構組成(pnp, npn)

2. 通道載子總類 (電洞、電子)

3. 電壓極性接法 (偏壓方式)

4. 導通電壓 (極性、決對值大小與溫度特性)

5. 遷移率

其他有很多是延伸,比如說:
a. noise
b.前面討論high side mos 採用nmos原因
c.cmos製程中可以使用何種type的寄生bipolar.
d.線性度考量
.....
17#
發表於 2011-5-19 17:38:34 | 只看該作者
PMOS控制簡單,但不容易生產,NMOS更容易生產,價格便宜些
16#
發表於 2011-3-14 23:48:54 | 只看該作者
进来学习下,简单的问题但想说清楚还真不容易
15#
發表於 2009-11-17 16:53:10 | 只看該作者
同意上面大大的說法…

就我所知,如果你是要在high-size上用N-channel的話,

那麼你的Vgs就必須大於一個Vth (Vgs>Vth)才能夠讓N-channel turn-on!

另外你還得另外多一個bootstrap的電路讓N-channel的source端電位大於gate端,

不然你N-channel即使你gate端pull to VCC,

但gate端和source端同電位的話(VCC)還是沒辦法讓N-channel ture-on!

如果你把high-size改成P-channel的話就沒有這方面的問題了,

因為只要把p-channel的gate端pull to ground就可以讓p-channel ture-on了!

PS:至於你要使用p-channel還是n-channel,就看你應用端的選擇了!!
14#
發表於 2009-10-9 12:04:46 | 只看該作者
同意樓上的說法
在相同條件下 Vgs Rdson..
N-ch會比P-ch cost低,
且容易控制,因P-ch可以直接將Gate接地就可導通
而N-ch若在電路上沒有相對高壓bootstrap)(就比較麻煩.
.
13#
發表於 2009-10-9 10:28:30 | 只看該作者
同意樓上的說法
如要用在POWER MOS上的話用NMOS比較好
因為單位面積下其阻抗值比較低
但用在LDO的話 PMOS比較好
因為LOW DROP之故 且PSRR亦較佳
如果用在小訊號控制上並無差異
12#
發表於 2008-10-6 22:03:24 | 只看該作者
問題有錯吧ˇˇ

PMOS根NOMS用途不同。
有些情況PMOS較佳
有些情況NMOS才好
11#
發表於 2008-9-23 16:27:05 | 只看該作者
如果是就H-bridge來說的話,
PMOS可以直接給定GATE電壓,
但上橋若改用NMOS的話,
必須增加bootstrap的機制,
讓電路複雜度上升。
10#
發表於 2008-7-26 17:43:44 | 只看該作者
相比NMOS,PMOS并没有什么优势。
NMOS载子迁移率是PMOS载子的2倍左右,故相同电流PMOS尺寸较大;
如果你了解最早的NMOS工艺为什么改进为现在CMOS工艺,你就会理解采用PMOS的原因;

N阱工艺,PMOS作为输出差分对,噪声小于NMOS差分对
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