用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
6 G! Y( q2 d! S! }5 @* O1 X; {0 D....
.....
.......
3 k! ^& Y: L; M( q.end
2 s' P3 a, w+ w9 c2 I; S" ~4 [$ `然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

* b: f$ T+ v' Q* [! z' J) [對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
. u+ W! K* B; _4 m. w我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
: Q- X  I3 }* Z0 l而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???