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MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,* E, ~) N$ n" Z( F8 B# S
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,) ]( y" T% ?: Q+ R+ E4 X
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
- z9 g- W9 _+ b' y! q$ o& m }0 n可用軟體模擬出C-V曲線,
( d6 W% j$ @, i: H) d. rBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,' G# w1 {+ W! K8 h* p5 n* ]
也就是長在NWELL裡的NMOS,7 T! \9 G, I( I6 j- v3 M- B2 x
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,# p6 Y! {% y6 u! q6 Z* P
使用這種元件並不需要多加光罩,
, |! z+ s2 P+ t# D9 Z( E建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件 |
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