|
想請問各位大大我使用的製程是UMC188 C5 y/ H: z% x. V: v+ B$ s
( C4 s- e8 X( @- A [要如何知道製程的參數?
, v& T4 }' E8 |; m如:Va , λ ,uncox等等...* Y/ `* w# k3 v: c7 x. e+ a2 z% r
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
. W* e' M! r% Ero=1/gds: e' ~+ N% D! N/ |
ro=1/λ*idsat* ]& K. \4 F; c$ L. [" _
λ=1/va*L$ T6 e7 ~5 O/ e4 q! D
$ y- |, N% _0 j. j0 E; F
例: p1 I/ V+ v6 A8 W" t. \4 f7 J) h
PMOS(saturation) PMOS(saturation), D9 b4 ^4 q; o9 B5 ~
W=25u L=0.5u W=25u L=0.5u3 w( g! w. s# G8 y2 O" G7 v
id -8.907e-05 -8.588e-05
$ B) g6 U& Q3 {) Wgds 7.941e-06 5.289e-06
8 A# |: U$ Q/ s, G
# c% ~% r! u3 H1 V7 Z& z/ m9 O算出後:5 l& x1 O/ w/ t' d
λ 0.089 0.061+ W- Q4 ]3 J/ h: ? U
9 v! g. A/ l% L- x) b p( z4 s
) H2 |$ u& E9 Z1 e; R, J
看有些論文寫說λ是工藝給定的! h4 t2 `7 u, Q" \2 }
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
" b Q2 @4 j/ ]3 ?
# S' h2 W2 ^: i+ [5 \ |
|