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創新記憶體和儲存解決方案的業界領導者美光科技(Nasdaq:MU)今日宣布由盧東暉博士出任前段製造企業副總裁暨台灣美光董事長。
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" K/ _$ \' ]1 H) [& u2 p( V美光全球前段營運資深副總裁 Buddy Nicoson 表示:「很高興東暉加入我們的領導團隊,美光將借重他豐富的產業經驗和專業技術為美光在台的卓越製造中心做出貢獻。隨著記憶體市場機會持續成長與發展,我相信東暉將能帶領團隊滿足客戶需求,並進一步鞏固美光在先進 DRAM 技術和製造的領導地位。」) _8 r6 M1 v. R. w# m: K
$ X- [/ |- ^% L( c8 g2 D [$ ^盧東暉將負責管理美光在台中與桃園的製造廠並主導美光台灣的經營策略,以實現公司整體發展目標。
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' }' I4 u, G5 l; i, A: C' |; M美光前段製造企業副總裁暨台灣美光董事長盧東暉表示:「美光在台的營運對強化其全球布局的策略,並維持 DRAM 技術於全球的領導地位發揮著關鍵作用。」盧東暉進一步說明:「我很榮幸能和管理團隊一同規劃及推動台灣美光的技術發展藍圖,進一步擴展在地的夥伴及客戶生態系統,並透過世界級的成本管控、品質最佳化和計畫性部署以達成技術和製造方面的突破。」; i7 J, L u- p+ S* a5 q5 w% i; w
8 E+ W8 \) n4 z+ G' F' {: R% n+ n7 {具備超過 20 年的半導體產業經驗,盧東暉先生以技術開發與移轉、良率改善和晶圓廠建設見長。加入美光前,他擔任英特爾製造、供應鏈和營運集團副總裁暨戰略規劃部聯席總經理,負責新廠區啟用的整合規劃管理,並推動全球擴張策略計劃。此外,盧東暉在發展英特爾的記憶體業務上亦扮演重要領導角色,他曾成功完成美光與英特爾聯合開發的 3D NAND 及 Optane 技術節點移轉,並帶領英特爾 3D NAND 製程研發團隊,成功開發次世代浮柵式 NAND。/ _# w7 w8 \: x" y' U9 d4 D g
! z& ^ o- M1 ` ]: w盧東暉先生擁有北京清華大學材料科學與工程學士學位及俄亥俄州立大學材料科學與工程博士學位。此外,他亦取得美國加州大學柏克萊分校和紐約哥倫比亞大學的聯合企業管理碩士學位。
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