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[教育訓練] 110/12/1~竹科管理局免費講座 IC:3Dx3Dx3D

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發表於 2021-11-25 17:17:20 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
課程目標:
台灣的半導體產業在全世界有舉足輕重的地位,隨著科技日新月異,5G 世代席捲而來,大數據、物聯網、人工智慧以及行動智慧裝置與穿戴的普及與快速發展,使得先進半導體晶片的需求急遽增長,效能也不斷提升,這些先進的技術都來自於背後精密的控制電路,而IC積體電路技術使我們可以在更小的空間中實現更複雜的操作。

課程特色:
場效電晶體(FET)其實就是一個簡單的電流開關,如同水龍頭的旋鈕可控制水流一樣,可以透過控制閘極(Gate)電壓控制電晶體源極/汲極(Source/Drain)間的電流,然而,隨著電晶體通道不斷縮小,場效電晶體開始出現一個重大的問題,隨著通道兩端的源汲極變得更加靠近,閘極對電流的控制相對變弱,造成元件無法關掉,漏電流過大,2012年Intel正式將鰭式電晶體推入量產,改變了傳統的平面式結構,就像是給水龍頭加了更多旋鈕一樣,多閘極結構可使閘極在同樣的通道長度下,有更強的控制力,而我們的團隊更進一步使用「環繞式閘極結構」(GAA,Gate-All-Around),閘極完全包覆通道,給予最強的閘極控制力,降低漏電。三星、台積電、Intel 等半導體巨頭,也宣布於3奈米技術節點(三星)和2奈米技術節點(台積電、Intel)皆採用GAA之電晶體結構。
此外,台積電於5奈米技術節點量產擁有高遷移率通道(high mobility channel)之元件,使用高遷移率通道,猶如駕駛跑車,速度更快,使電晶體的效能更佳。

修課條件:半導體產業暨相關系統業者之在職人士或有相關技術需求者。

課程大綱:
第一個3D--通道堆疊
第二個3D--電晶體堆疊
第三個3D--晶片堆疊

課程師資:
劉致為 特聘/講座教授
現職:國立台灣大學 電機工程學系 特聘教授
學歷:Ph.D.(1994),Dept. of Electrical Engineering, Princeton Univ.
主要研究領域:CVD磊晶為基礎,研發SiGe/GeSn元件、stacked 3D電晶體、MTJ/FTJ/DRAM記憶體、IGZO TFT

課程資訊

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