8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品

4 `' g' S$ J* ?. ]8 K(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
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快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。
* l" G! w. p% {
主要展品
3 F' H" R' f* c9 p" ?
: Z0 |4 ]6 [+ J! B3 R1. 企業級固態硬碟(SSD)：

企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示
/ J3 T1 E7 f: u5 C' R% S* _% b% S
2. 用戶端SSD:

高階用戶端SSD HG6系列
TLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：

0 W; _$ Q" e( C; x0 b! |3 @嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
7 E; J9 u7 ]  Z0 I2 G" U) z$ C; d* h無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM
5 ?- t% r- a. M" B1 i! ]8 T
4. 企業級&工業級記憶體：
; F1 A$ l) f! X: v2 W, |1 G' W
SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片
2 C% f: m$ h  u6 R7 r- s
/ {" H  F- ], }4 M' Z注釋
8 I9 n0 `) G7 o' R: j( b5 U: w
[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
[2] UFS：通用快閃記憶體
[3] SLC：單層單元
[4] BENANDTM：內建型ECC NAND