8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品
& T* N8 Z8 O* {& e" J2 [
4 b$ X# A0 ]  `7 \(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。

快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

主要展品
" F9 d" j7 G6 K0 g3 m2 t
1. 企業級固態硬碟(SSD)：

4 G9 U5 R+ n5 H3 l% T2 W. w0 K企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示
4 e& q# p; x0 M$ P1 w
2. 用戶端SSD:
8 r! u' e- @2 D0 @- C# O* B; I5 W% \
高階用戶端SSD HG6系列
- f% M7 _: f; m, C' n% n1 fTLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：

嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM
8 M3 }' H& b9 u6 K! Q" f0 x
7 \: Y% G' Z% X4 g% \( P" Z4. 企業級&工業級記憶體：
: u7 ~- T/ F7 W. c, M
SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片

注釋

[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
" P5 ^' s9 ]/ U% i[2] UFS：通用快閃記憶體
/ t* Z6 q) V% O+ f' d! I6 Q) Z$ [8 C[3] SLC：單層單元
& n2 M1 \4 j9 b[4] BENANDTM：內建型ECC NAND