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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們9 @5 A+ U" |7 I: g9 ?, c+ ?
                                                                                ) ?; z5 _6 X0 |4 @: b
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system  w& a( \- |8 w' ^
                                                                                % e8 h0 J5 e. E
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table35 T7 o! F& u$ T; x
                                                                                
/ k% ~# r4 _2 D! N% J' _提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
: n) t% G5 s4 i                                                                                & @1 {. s0 f- d4 N% n6 J
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA
7 O# u, a( d* [3 N- v, C                                                                                - O) u/ U( G$ N+ |2 j4 `5 c* K
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下
3 {3 ^, o+ R. j6 V% |                                                                                " T# _! P9 W: a
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關" o! F; N. D& `& P5 M
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
1 ^. G1 ^3 a' Y' i4 ~gm 本來就大
9 c( T( S' H6 B至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V
; `) G# Z; Y4 @( R0 F9 p* M. Z0 \掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm : ^& `( z3 z8 d6 `) }% _% s2 q
前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向
8 f" {& a& t4 Y2007年那篇算是比較早期的作法了6 O& E# n: D: c8 p
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大
/ @( c. }5 u7 ]. `7 p後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看+ H& A. C; _, r1 p# h
capless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop
9 r' e: m! |2 G: X+ M傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容+ P5 M, W# d5 F8 X! H
比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier5 R: B) U" |/ q
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
- J7 I# [1 ?: _- G9 r& X' @$ L! {% F9 |% O! q' O! V
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想( x! S, Y3 z$ c7 H4 M& G2 k5 d; ~
這是RD的宿命% b* P+ U* L( ^/ s& S2 u. t$ X
" g) |# }0 `* O: N& ~+ X/ A0 \
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage 0 n- g: @) n" S% M& b6 r& t- ~: j
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解
' y4 n3 }/ J$ h可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論- G& y3 V  r$ G
小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
( Z% L8 c  p% l/ ]
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者
3 ^0 P4 b: e! I7 q
Thanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
2 D& t0 G/ l  Y; ?7 m+ e. H/ m# [$ |- D
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題
- k& v: [* N- @* K極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
" z; D9 m' w. a5 Q+ \7 n2 ~8 {+ e
" r( p) L% E, Y) l0 f) v  r

! u( w( W5 x; F5 R- A( C
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝2 I& o; d+ U1 P* _2 U7 D
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