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對於Vdsat和Vov的初步研究

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發表於 2014-3-7 13:19:17 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
中,短沟道器件存在着速度饱和效应,当MOS 沟道很短时,沟道内的电场强度会变得很强,场强达到一定程度时,载流子速度达到最大值,从而使得沟道电流也达到饱和。.................. D. b7 Y( z" V6 S; e( M2 R
* Q! ]* e/ }9 F: G. F
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發表於 2021-1-8 11:11:21 | 顯示全部樓層

7 w8 _" h' a  v/ y% K0 |% I4 K1 R' R2 f謝謝大大無私的分享,感恩
發表於 2021-1-19 21:48:08 | 顯示全部樓層
謝謝大大無私的分享,感恩
發表於 2021-1-27 15:39:35 | 顯示全部樓層
感謝大大無私分享,謝謝+ L* e8 C# `6 S" t
發表於 2021-2-8 08:15:47 | 顯示全部樓層
感謝大大分享~辛苦了 感謝提供教材參考及學習

8 C# w/ i1 J: R7 [0 W
發表於 2021-3-14 22:48:48 | 顯示全部樓層
感謝無私的分享,由衷感謝,辛苦了
發表於 2021-3-15 05:16:07 | 顯示全部樓層
Is it a paper, a tutorial. or both?6 H( B5 \" s5 j8 o, B# y1 D& o

3 f) }, x; V2 ~Thanks for sharing ....
發表於 2021-3-16 17:34:24 | 顯示全部樓層
感謝大大無私分享,謝謝
發表於 2022-7-20 14:38:32 | 顯示全部樓層
! |9 \% a) V  e) \/ f
感謝大大無私分享,謝謝
發表於 2022-8-23 21:36:27 | 顯示全部樓層
) @  d' b$ |  t. `/ E
感謝大大無私分享,謝謝
發表於 2022-8-31 16:28:27 | 顯示全部樓層
感謝大大無私分享,謝謝
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