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[問題求助] MOM電容佈法

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1#
發表於 2014-5-21 17:51:39 | 顯示全部樓層
有 froundy  kit 就用
3 O7 O& @8 w5 |  r! y) j畫的 每間蓋的layer 也不一樣
7 w8 R) b' b. v* R( ^/ P廠建好的 製程try過比較沒問題
: \1 v' m3 P7 o" s) W6 R5 e5 ]/ Z4 F5 c
自己寫一個spice  model  容值抓抓看
: z4 Q9 y8 `) }9 |
6 @! X/ ?4 z5 w4 `+ @MOM 是tsmc的说法: metal  oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,: w3 u; o5 D; q$ Y
可能任何工艺都有这个cap,
1 w% H0 y: |3 z" h) L! e/ e/ u8 s
! d( B# s- N4 ^6 y: C# D# j0 ?MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
' n4 p. C9 G6 d3 A% A6 t2 L1 _$ c: W由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成,  logic工艺是不提供的,
4 T. B3 H& j# |' I- Y- Y/ C  j) o. a1 ?% zMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍
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