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[問題求助] 求助:測試的商用芯片HBM ESD耐壓為何高於其標稱值?

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發表於 2013-12-12 11:00:37 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
一個商用IC只有兩個I/O引腳,datasheet上標稱ESD為2kV(HBM),我們使用HBM測試儀對其測試,正向反向放電各10次,脉衝間隔1秒,測試了10片,結果為3800~4800V,明顯高於其標稱的2kV。: M5 Q) [8 y/ ^
- L/ K/ c, B* h0 X( \) A
另外我們對自己開發的多款IC也進行了測試,該IC採用TSMC 180nm 2kV ESD模塊,也是僅有2個I/O引腳,ESD模塊緊貼放置,測試結果在3700~5700V。6 H& b, ~. q( q* V7 ^
  P: ]; ~) d8 Q4 h* W: V4 ?
請問這是否合理?是否我們的測試方法出了問題?謝謝大家!
發表於 2013-12-19 18:10:23 | 顯示全部樓層
這個值要超過才算合格
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