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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" J& ~% H( y' M5 \" ~' |
8 t+ u# p9 j  \+ d$ f9 \9 K
OD2作用:
& ^! {( x$ q& D0 b. V4 U  \1. 增加阻值. f7 z! W( W! d6 S: z3 P
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( F- p) i& S+ ~; t6 d0 u- k3. 通常用於高壓製程上& X2 h/ P+ m$ |* q1 d

+ i1 ~  N9 C: qSAB作用:
# ^) ]# n. M) S! c% r1. 可以用來計算電阻值
$ l) L3 a5 B" Q2 q7 I2. 降低阻值
* u7 I2 t0 {( j7 k1 i3 |. U3. 防止LDD的尖端放電
& t, W* u' m' M' G$ K8 ?* W
3 N5 ~) _9 e) b1 U! d' t  I, t3 O3 f2 v
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚  x9 x6 ~1 a% R0 z/ g
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
8 y8 h7 Q0 T. y" sSAB : 認同二樓說法
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ; D" Z; d3 W3 k; ?; h; A& ]% m; {' _
# T5 c0 T( i* ^' `7 Q  N4 |2 k
個人的認知與看法!有錯請指點一下!. A$ C6 k3 u& V& R! B
% e1 G( g- E- I$ @. e- a/ \1 Z6 A( A" K
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!; h; a/ F! D- t7 h1 g

8 U- N3 G' E5 e蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!. {! h8 K5 E) Q, L: S$ k4 I! S
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
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