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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 l$ D: R4 W2 z0 b, K# n( `' l
5 r9 L0 Y* D& H* x, M7 L
OD2作用:
, P. Y3 z4 L6 H8 e3 o7 Q, s. r1. 增加阻值* v2 L- f3 f: M# h! f8 B0 |
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! m: n; s1 a3 n& I$ R3. 通常用於高壓製程上
' J3 P7 S! f! w" N/ [- j# |3 ~8 ~3 K$ |& s" K) |! m, C
SAB作用:
& _! p" ]; c; S5 o7 a0 y& V: h# {1. 可以用來計算電阻值+ o5 E/ Z! Z' J4 M+ P4 F
2. 降低阻值) j( s4 _4 R- y4 i) c0 x! r
3. 防止LDD的尖端放電) ]. g  B% x1 B& x, e

3 V% d, p( O  s8 ]1 K2 ]5 _! [( e/ o& _& F( W4 k  Y1 t. k
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 # y$ Z7 V5 ]" I5 b% d
4 D/ N, b9 h5 M) u; x
個人的認知與看法!有錯請指點一下!" N# X: S) N2 X) O7 b5 t: j

8 ?$ }' o+ q6 p. Q0 x有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" e% h) ~' s9 _2 R
. s% N2 P5 w6 h5 I- b. n* ^
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
) @. \; _! L0 S  y- Y* R/ q% a能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
2 b0 J2 t: ?4 _$ c; k; T/ b2 K這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ b! z4 B4 ]  a/ K! B3 _' dSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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