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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟8 {( `! t7 a& u& [* j1 q8 a
' `2 G2 l) s6 b6 @
OD2作用:
/ y( |! G9 A# L1. 增加阻值+ t6 x1 t- }7 e# X8 c
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 V4 ^& y  j8 L! H, ~# M- L" \3. 通常用於高壓製程上- L0 f! \1 N: }" Q! o
: G: A( _$ C# j" n
SAB作用:" d; ?8 s8 C+ t6 u' V4 F& X
1. 可以用來計算電阻值
  V( n6 X7 c# @) y% T8 ]2. 降低阻值& T& G* r& S  k" e
3. 防止LDD的尖端放電1 N/ k) }# o6 M4 g" ]8 j

# i1 W- u1 S8 T: C
5 t( o& m$ @, X以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 4 q) u+ C+ h9 f  z
1 ?" Z) q- }  H# _
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
) t% S! y. t; k- j6 K7 Z5 n3 D5 F, W% c5 @  o
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 X3 d2 l% @. U% I5 Q8 j7 U8 k
* C: O& @+ D' Z+ e0 H# g2 b6 E
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
) X! M2 l2 W, K) m% m能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 i6 U. @* ^5 K6 x! q這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ n. t, Y6 o7 ~% Y" eSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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