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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟4 I4 Y0 t6 }  n+ L, N5 C) Q
1 z% m& f7 ]5 L. Z) c; @' J) P
OD2作用:
% E" h! W( l2 H" ?1 D! N- N8 D/ ]/ Q1. 增加阻值  v  {* @0 F( E% c# t+ J$ p- u7 ]
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
5 ~- n& B: a! M3 \3. 通常用於高壓製程上
) M* J2 q: b! \; ?+ l; b7 J; @! z* z( c' Y
SAB作用:
3 P# j2 @, N$ a- t  {# [3 c0 M1. 可以用來計算電阻值' r; e! i& Z1 }& u1 O# r( ?! v
2. 降低阻值# V: u  u  g' C$ Q! Q3 h
3. 防止LDD的尖端放電
0 I* X0 [4 B" I8 p5 k0 t- Y4 A0 G. s6 |, L% n& ^0 y( E
2 b. Y% v2 w! K
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 + j2 H8 G3 W- G+ O. E

3 V# i( H7 u7 ]/ {個人的認知與看法!有錯請指點一下!7 e& v1 @  i7 B( u- Y( ~
& S* B. ?7 D8 T9 `6 Y
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
- o: g4 K1 S; f4 U+ B5 A4 e1 X
  K0 w: |! N: D, o3 r6 p; z蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!7 O& u4 `3 u2 q' x1 h; n8 P
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' d, [2 C2 v2 _) [2 n2 `
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 t5 o2 }, D! u9 F) l% q( `; rSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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