transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

andyjackcao · 發表於 2012-6-24 16:43:57

請問各位前輩~
& b3 C; l& y! V9 u- e1 i+ D: n在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時0 Q8 X. e3 n: Y0 ~! P" ~9 U
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...2 y0 z3 p, i; {+ {" y6 _
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

andyjackcao · 發表於 2012-8-21 21:50:54

回復 andyjackcao
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9 a5 h* n3 c; \- V' `原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...' W- b. h8 c5 y
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

是这样的；
通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

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