transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
) ^' H* B' Q' J0 Z' z7 Y" J5 O: V內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
; a7 B- T& }! X7 ]/ @4 f2 h5 |5 U內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
" p8 }4 N4 x' g5 hlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
( U' J1 N' b' F. D% U
) |7 X/ B3 t# {2 A: Y: O原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao

% f1 k; Q! v# v, O9 `6 b原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
0 E6 U( P% z; t; v! ~gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

6 ~/ q! P& E4 V3 J


+ c6 w, g4 t% l
) y1 B+ q. S  Z7 {2 W7 Q; ]    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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