transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
) o7 q" R2 A1 Z0 I' [5 z4 c1 }內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
- K6 F5 I/ P/ ?7 }: B/ h+ U% L, ^/ L跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
" x( f! ?! O) C3 v4 ^" y而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
4 O3 `3 x% X) `7 ]那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
3 e5 I* G: k- u5 H在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
+ n2 ?0 J& B/ {. _; Plupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
% N- d; O  x2 M6 M: o3 B+ Y2 Y6 F2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
0 ]7 V% D" \5 C5 o! O
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
) q. U) x, L9 p# l  W
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
4 o, a; u* q+ u! @( K3 I" R. Xgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

0 r! [% c8 K6 [3 Q' H) S( a# j
4 N3 y% X+ I/ p0 y3 p' U0 R
8 D# e4 m* L# P  s) N  `
3 R4 ]' d% e5 Q2 Y( ~- k* V    是这样的；
6 m( W$ \- p  T   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得