transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
' R+ j# W8 `+ @4 q# x! v- J在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
, y( {5 k; y. e7 u- L* ]跟tri-state(pad接在gate)
, ?; }' F) U/ j( W" V9 S兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
3 [) E! u) [  s) x在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
" d) C8 R0 x0 _- X0 e2 {內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
+ ~8 U+ \3 b% ?  \$ ]2 R0 q; jlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

0 I: U9 B8 X7 Y& p8 h1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
8 }% L, u5 L8 u- _! f2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
% ]& ]6 F  x; @
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
' s6 D9 h& H+ t; H2 _2 E9 p! Dgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

+ f- v+ g% a9 u: t
! \5 g7 {3 _4 {4 o

5 I, o; Z; s, Z% E/ M2 g* C
2 W! w3 D. i2 s- S- u! l/ o0 e    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得