transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
/ _5 `- n; ~& Z跟tri-state(pad接在gate)
$ \6 [# z$ ]9 c: T. F6 R, C兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
4 G- e; G& B( d. \5 _7 S1 X& K在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
" l- y" l" o0 c5 g0 V內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
8 o0 N0 C; y: L- n9 g; ~0 Llupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
! E- X1 B; `  M, R' }, V2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
+ O6 F5 F2 O" y, J3 c
; y/ D4 o+ l* M$ ~( M, W" g3 Z原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
' L/ m5 T  G7 z& t$ ?
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

2 x! X: S+ A" b! j' n' z- c
: C5 S! O: B3 L8 X9 B- \

6 w. h- J$ d8 x! {- s" ~7 B' q    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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