SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC技術標準研討會

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為協助台灣產業與國際接軌，並讓國內企業進一步了解參國際技術標準組織的運作策略，及國際技術標準制定的程序，由工研院和SEMI共同主辦、經濟部技術處指導、先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)協辦的「SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC 技術標準研討會」，日前於新竹舉辦，由半導體製造聯盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen，以及SEMI資深協理James Amano分享SEMI國際技術標準最新發展、成功案例，以及國際上3D IC技術標準之佈局。當天吸引AIXTRON、日月光、台積公司、台灣愛美科、矽品、致茂、晶元光電、漢民、聯發科、聯華電等半導體大廠逾60位產業菁英參與。

' ^9 u3 H. @6 K% f. T' v2 e; K  h工研院量測中心副主任林增耀致詞中表示：「世界經濟局勢變動劇烈，唯有擁有專利、掌握國際標準脈動，才是創造競爭優勢以應萬變的最佳策略，參與國際產業技術標準的制訂，更成為台灣企業佈局國際市場的重要攻防戰。感謝技術處一直支持工研院推動標準活動，協助產業與國際標準接軌，工研院也將持續透過SEMI的國際產業技術標準平台，促成國內業者的連動，攜手提升產業在國際上的競爭力。」
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半導體製造聯盟(SEMATECH)3D Enablement Center的Richard A. Allen於會中表示，3D IC由於整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢，已成為現今產業不可或缺的重要發展技術。隨著3D IC受到重視，建立立體堆疊整合最常用的技術之一--矽穿孔(TSV)也備受矚目。然而，其設計複雜度卻遠高於傳統晶片，技術及成本挑戰接踵而來。SEMI以製造業的需求為導向，所制訂出的3DS-IC產業技術標準，對提升產能、降低製造成本、縮短產品上市期限，以及確保全球各地在設備與製程的相容性將有極大助益。

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SEMI 總部資深協理James Amano則於會中介紹，SEMI致力於半導體、平面顯示器、太陽光電、微系統(MEMS)、EHS等領域的國際標準制定與推動已超過38年。SEMI建立了一個國際共同的標準制定交流平台，集合了全球各地(如:美洲、歐洲、日本、韓國、台灣等)超過4,000位產官學研專家投入，成立45個全球標準技術委員會以及超過200個工作小組，成功推動近800條SEMI標準及安全相關準則，並廣受全球IDM廠、晶圓廠、封裝測試廠等2,000多家公司採用。

SEMI在台灣也致力推動3D IC標準制訂，SEMI產業標準與技術專案資深經理張嘉倫指出，SEMI台灣已集結多家在矽穿孔(TSV)、接合和薄化製程、測試、檢驗和量測、設備和材料等方面專精的台灣公司，目前正積極討論和研擬制訂不同生產階段中所需的標準。

( ^3 D' c2 s! L# D關於SEMI國際產業技術標準在台發展

2 Y( C  e/ f7 `) p( A( e1 [+ f' xSEMI台灣目前所運作的國際產業技術標準委員會有: 3DS-IC Committee、I&C Committee、EHS Committee、FPD Committee，以及PV Committee。SEMI期盼能將過去於半導體產業長期所累積的經驗，應用到FPD及PV產業，希望藉由SEMI的平台，建立更多適用於台灣使用的產業國際標準，並與國際接軌，在「降低成本」、「加速產品上市時間」、「強化綠色競爭力」等面向協助廠商獲取最大的利基，並與國際接軌，以持續地協助台灣產業向前推進!

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SEMI昨日在SEMICON West中宣佈年度董事會選舉結果，共新增四位董事席次，包括Trina Solar董事長暨執行長Jifan Gao、 JSR總裁Nobu Koshiba、漢民科技副董事長林淑玲、Ebara總裁Natsunosuke Yago。林淑玲是繼日月光集團研發中心總經理唐和明之後，SEMI董事會中的第二位代表台灣地區的董事成員。

# B- A2 ]- t7 f0 PSEMICON West 和Intersolar NorthAmerica自7月10日起在美國加州舊金山隆重展開，並於同期召開的會員大會中公佈新任董事成員名單。ATMI董事長兼執行長兼總裁Douglas A. Neugold與Soitec集團總裁暨執行長André-Jacques Auberton-Hervé 仍為SEMI全球董事會主席與副主席。同時，SEMI並任命Wonik 集團董事長Yong Han Lee為其協會第二副主席。

7 o, r6 t; [4 ]SEMI總裁暨執行長Denny McGuirk表示：「我謹代表SEMI和會員，歡迎業界領袖們加入SEMI全球董事會。他們將會成為董事會極為珍貴的資產與助力。同時我也非常高興在此過渡時期，Douglas A. Neugold與André Auberton-Hervé能續任一年，以全球董事會主席和副主席的身分再度領導董事會。」

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漢民科技副董事長林淑玲表示 :「很榮幸能成為SEMI全球董事會的一員。今後將會在產業發展議題上努力為會員發聲，並為台灣半導體產業發展盡一份心力。」林淑玲為漢民科技共同創辦人，1976年於交通大學應用數學系畢業，並在2009年取得交通大學高階主管管理碩士(EMBA)學位。
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根據該行業協會章程，兩年一任的理事會成員已重選，九名成員如下: Wonik Group董事長Yong Han Lee、Advantest Corp.董事長Toshio Maruyama、Hitachi High-Technologies Singapore PTE總裁暨執行長Osamu Nakamura、ATMI董事長、執行長暨總裁Douglas Neugold、Lam Research董事會副主席Steve Newberry、Axcelis Technologies董事長暨執行長Mary Puma、Tokyo Electron董事會副主席Tom Tsuneishi、KLA-Tencor執行長Richard Wallace，以及Fraunhofer Institute協理Eike Weber。
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同時Cymer董事長暨執行長Robert P. Akins、Edwards Limited大韓有限公司部門協理J.C. Kim和 Ultratech 日本株式會社董事長Kosei Nomiya續任SEMI全球董事會第一任期當然成員。

# S. _, c" S9 N2 ySEMI共有20位具有投票權的全球董事會成員，另有11位名譽會員，代表來自歐洲、中國、日本、韓國、北美及臺灣地區的不同公司，因而能夠在協會各項事務中充分體現國際性。SEMI的聯盟章程規定：個人可經協會全體成員選舉成為董事會具有投票權之董事(任期兩年可任四期)。

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第二屆SiP Global Summit 「3D IC 技術趨勢論壇」盛大舉行
" U/ |6 X3 ]0 g  q. q' L4 L. `日月光、矽品、Xilinx、聯電等大廠齊聚一堂共同探討3D IC供應鏈的完整性與成熟度
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- T4 m8 L5 W# }% @$ F% h在業界的積極推動下，運用矽穿孔(TSV)的2.5D/3D IC技術，近年來已有顯著進展，正朝量產階段邁進。今年Semicon Taiwan的3D IC 技術趨勢論壇中，集結了來自日月光、矽品、Xilinx、LSI、Aptina、聯電、EVG、Cadence、Teradyne、MicroTec等橫跨3D IC供應鏈上中下游的領導業者，共同探討整體基礎架構的成熟度以及邁向量產尚須克服的挑戰。
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" A7 k! D9 f  [; w儘管目前3D IC技術在成本、標準、生態系統、業務模式各領域都還有問題尚待解決，但與會者均相信，在業者的合作努力下，未來二至三年內，3D IC市場終將正式進入量產，並逐步起飛。

日月光研發中心副總經理洪志斌博士表示，3D TSV元件佔整體半導體市場的比例將從2012年的1%，到2017年增加至9%，規模達38.4億美元，包括MEMS、LED、影像感測器、RF元件都是快速成長的領域。

: l6 V/ c3 t% h8 Q6 X' i他表示，過去一年來，雖然TSV製程、中間插件(interposor)、重新分配層(RDL)等技術都已有快速進展，但是測試問題還待克服。同時在2.5D插件供應方面，亦出現了晶圓代工、封測廠、結合兩者，以及獨立供應商的不同業務模式。

顯然，在產業鏈朝成熟發展的過程中，還有許多的生態系統、合作關係與競爭模式議題有待釐清，才會有更明朗化的進展。同時，他也認為簡化供應鏈、通用標準都是未來的努力目標。
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0 H& L# V' R0 S; [  ~: Y4 ?* gXilinx資深副總裁湯立人介紹了該公司最新2.5D產品的發展。透過採用並列式(side-by-side)佈局，Xilinx已成功推出結合4顆28奈米FPGA的2.5D晶片，總電晶體數高達68億個。與傳統方式相比，新元件可達到100倍的每瓦頻寬，同時，容量、頻寬、功率都比傳統單晶粒FPGA更佳，預計明年上半年就可進入量產。

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同時，Xilinx也已投入3D異質整合晶片開發，湯立人表示，微凸塊/TSV、熱傳、TSV元件應力等問題都有待解決。此外，若要實現邏輯、記憶體、處理器等主動與主動晶粒間的堆疊，業界在3D製程開發套件、製造標準(材料、DFM規則)、測試、代工廠間互通性、晶片間介面等各領域，都還有一段路要走。

LSI材料和互連技術院士John Osenbach博士則是討論了矽、有機和玻璃等不同中間插件材料的差異與優缺點。他認為，目前還沒有最適當的答案出現，未來業者有可能會依照不同應用與架構選用不同的材料。

5 E! J3 C# F; mAptina先進封裝資深總監Derek Hinkle指出，影像感測器市場的3D封裝技術已經就緒，目前是採用via-last互連製程，已經開始在8吋晶圓生產，可最大化每片晶圓的晶粒數。

& M% G1 S4 G5 T1 b& k針對現有的Via-first、via-middle以及via-last製程，Derek Hinkle表示，這些技術各有其優點，但他認為，via-last能帶來更佳的供應鏈管理靈活性。同時，由於目前3D IC供應鏈仍然分散，有待進一步整合，並須能提供更具吸引力的成本、效能、尺寸優勢，才能進一步擴大3D IC的廣泛採用。

0 }" C7 D# F4 q# H4 R$ ^7 ]聯電企業行銷總監黃克勤博士介紹了聯電在3D IC方面的最新進展。它是以Via-middle製程為基礎，從今年初開始進行TSV製程最佳化，預計今年底進行產品級的封裝與測試以及可靠性評估。

他表示，雖然在開發初期曾遭遇銅填充、金屬堆疊等TSV完整性製程問題，但現在都已經克服。他強調，運用現有的CMOS製程技術與代工、封測廠生態系統，將會是較佳的業務模式。

此外，EVG討論了wide I/O介面的薄化晶粒堆疊、Teredyne介紹在自動化測試設備上進行系統級測試的技術與成本挑戰、益華電腦說明矽插件協同設計與分析的新型工具。

儘管2.5D/3D IC已經從概念逐漸成為事實，但是，與會者均提到必須克服成本挑戰，讓此技術從高階、少量應用擴大到更廣泛的主流應用，才能確保業者的長期投資效益。這個挑戰，將是3D IC技術邁向量產的關鍵，也是整體產業鏈共同努力的目標。