新思科技推出新一代驗證IP 加速SoC驗證流程

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新思科技之StarRC解決方案通過聯華電子28奈米設計認證
StarRC技術通過矽晶驗證  可供聯電28奈米客戶使用

(台北訊) 全球半導體設計製造軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)近日宣布，其StarRC™寄生電路抽取(parasitic extraction)解決方案通過聯華電子(UMC)最新28奈米製程技術的認證，在聯電所提供的測試評估設計環境中，該解決方案可達成矽晶驗證(silicon-validated)的準確率，符合聯電先進28奈米Poly SiON及高介電金屬閘極(High K/Metal gate)製程的條件；StarRC技術文件(technology files)已可供聯電28奈米製程客戶使用。

) J4 W, ^/ ~6 n/ u聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援部簡山傑副總經理表示：「聯電持續透過與新思科技等先進EDA大廠合作，為客戶提供可成功達成矽晶設計的高品質解決方案。新思科技StarRC寄生電路抽取解決方案，有效符合我們28奈米製程技術條件的要求，強化了我們提供給28奈米製程客戶的資源廣度。而雙方的共同客戶可充分利用我們最先進的晶圓製程，成功達成創新產品的開發。」

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StarRC是新思科技Galaxy™實作平台的重要工具軟體，該寄生電路抽取解決方案乃針對SoC、客製數位類比/混和訊號(analog/mixed-signal，AMS)及記憶體設計(memory design)所開發。針對28奈米製程，StarRC所提供的功能包括主要寄生電路效應(parasitic effect)的模型(modeling)，如先進製程的重新定向效應(retargeting effect)、新的導孔蝕刻 (via etch)和耦合效應(coupling effect)、導孔之電阻電容(via resistance and capacitance)、多項式擴散電阻(polynomial-based diffusion resistance)，以及經強化的佈線裝置寄生電路抽取。此外，StarRC也提供其他專為28奈米製程所設計的先進功能，包含針對快速、高準確性的3D抽取之Rapid3D技術、多核效能及擴展性的強化、縮減面積的能力，以及針對大型SoC設計簽核(signoff)所提供的網表(netlist)等。

新思科技設計實作事業群資深副總裁暨總經理Antun Domic表示：「StarRC持續在寄生電路抽取和先進製程設計簽核的技術上領先業界，該解決方案通過聯電的驗證，可協助聯電28奈米客戶採用新思科技先進製程模型和抽取技術的優勢，而這將讓客戶更有把握達成高效能28奈米產品的上市。」