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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 5 ^' K9 n+ y% C% M

0 t2 G7 Y$ o" w* r* U+ }; O+ `& R2 C0 F- p' @. o  u
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。$ x! L( V5 u; _: q; @. i
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。% o- R# z; Y3 B% S1 O' g
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、/ h- R, K; L" }7 e7 J
迷惑中....- p/ m6 \7 D1 o: m! G! ^( J
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
# L5 ^$ y: E* i- a  Z* l
7 I$ Z8 K, k6 R

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?8 I3 {- c# s! ~  f( f4 i
! H0 _. J6 @- R
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,  V# B# I" ^! j& M0 P
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
& |8 f3 q  j. i$ G5 ]  A( T有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,, h" x5 V2 \7 T. X  U
這也是現實上要考量的. " A" Z. B* ~6 Y$ W
- Z$ }: U! p6 H! E" {: P4 S" y
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
8 L& ^' `3 }+ E4 j0 `* a6 p3 C不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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