询问高压器件ESD能力评估方法

calton

1、高压（700V）反偏二极管的ESD能力如何评估？
1 Z8 C# O" i; p) u6 g' i8 S我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线，TLP电压打到1000V，电流只有0.14A。按照It2与ESD能力的对应，该Diode HBM能力只有200V多一点。请问这样理解对么？据以前敬仰，曾经有测试过高压Diode，TLP的It2很小，但是HBM测试能过3KV。请问这个怎么理解？高压Diode TLP测试不能代表HBM能力？
2、越是高压器件，ESD就越不是问题。这个观点对么？
可不可以这样认为：ESD是一股能量，对于高压器件，比如700V反向二极管，只需要很小的电流就可以泄放掉大能量。因此，在没有电场击穿的前提下，高压器件抗ESD的能力几乎是不用考虑的。比如，一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对么？

calton

伤心了，为什么没有人理睬~发的第一篇帖子

calton

回復 3# andyjackcao

( O) r$ H0 @8 x' W: @3 y我重点想关注的是700V Diode 的ESD能力如何通过TLP考察？
6 e  P/ J* f1 v: p+ P$ Y' j一、当测试高压器件时，高压器件击穿后的内阻会改变HBM的电流,不再为1.34A。用TLP的确不能准确预测高压器件的ESD性能————这里主要是TLP和HBM两种不同测试方法如何转换的问题。
+ k5 _& O% X$ j0 _0 k1、对于所有Snpaback器件都会有内阻改变，TLP测试的It2与HBM测试能力的换算为V=1500*It2（@）。因此我不懂你说的改变HBM电流，不在是1.34A是什么意思？
8 A; U  f' M+ Q5 ]5 K2、对于高压Diode器件（700V），是不是It2不能作为评判其ESD能力的标准，上一条@的公式也不能作为转换依据。那如何通过TLP测试来评价700V diode的ESD能力？
( G! i8 U* ?# q, [) W) |/ l二、是不一定的。 有的器件耐压（DC)测试能达到2KV，在HBM时触发电压也可能低于2KV(eg.NMOS)，如果不考虑场氧击穿，NMOS如果不均匀导通也容易失效。
1、那对于高压Diode，BV后，1000V，0.14A的电流对应的功率为140W，这个功率已经足够高了。从这个角度来看，是不是这个高压Diode的ESD能力是没有问题的了？

calton

回復 5# andyjackcao
4 L1 l$ B- b/ Y, {哈哈哈，谢谢你的第二个建议啊，这个倒是可以考虑去做一下。
总的来说就是因为高压DiodeBV很高，且没有回滞（也就是你所说的内阻大），HBM=It2*1.5K+BV,因而它的实际ESD能力有1210V。汗，之前完全没考虑器件本身的压降。

calton

回復 6# CHIP321
5 V$ J: v9 G# I嗯，多谢您的回复，茅塞顿开啊。
不过有点小小的疑问。
/ i- r: h3 h5 w; f/ y按照您的说法，700V的这个Diode ESD能力只有1200V。但是我们不知道真实的HBM测试中它的ESD能力如何。之前举例说上华有个高压的Diode，也是TLP It2很低（抱歉，具体数据我不知道，但肯定没有1.3A），但其HBM达到3KV（在宜硕打的）。我是不是可以理解成，宜硕的这个HBM测试结果是不准的。