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ANS 1，具体HBM值应当与TLP波形相关，若BV电平在1000V左右，It2在0.14A左右，不考虑测试时候寄生电阻误差 ...
2 P& X! E! O' fCHIP321 發表於 2011-12-6 01:10 PM ![]()
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! }+ ` @% K: X* X) o3 m# ~2 P" q) ?版主說的TLP逆推HBM值,才是DUT的準確評估.
. `" {6 m) n4 x" \/ d4 v' I7 a這是錯的, 在高壓元件中TLP已經不能準確呈現HBM level, 已經有journal發表過類似問題, 可以去收尋paper. 再高壓元件中It2高, 不一定ESD level就高, 有的It2很低仍然可以pass HBM 4K, 這個我也在實務上驗證過多次!. t- X( k& b0 q$ V& {2 N
7 w* ?9 [8 |& I8 p8 R8 N700V超高壓元件, 除了考慮到電流擊穿oxide, 由於內阻大還需考慮到power, 雖然電流低但是700V的高壓, 可能導致元件power過大, 造成物理性的damage. 實務上最好的方法是測試function, 目前就單顆元件還沒有統一正式的測試方法, Hint:可由基本電性下去驗證. |
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發表於 2012-1-17 09:03:41
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