询问高压器件ESD能力评估方法

andyjackcao

我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线，TLP电压打到1000V，电流只有0.14A。-----这时候的VT2是1000V，IT2=0.14A
按照It2与ESD能力的对应，该Diode HBM能力只有200V多一点---这是根据HBM作为一个电流源来理解
: U. j' T  e% ]. C: P2KV时为1.34A
个人意见：
9 E0 J, y0 M! |当测试高压器件时，高压器件击穿后的内阻会改变HBM的电流,不再为1.34A。用TLP的确不能准确预测高压器件的ESD性能
$ }4 c) v( |5 D' `( n1 C7 T
1 G) u" ]' A1 s4 O' o6 ~一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对
-------是不一定的。 有的器件耐压（DC)测试能达到2KV，在HBM时触发电压也可能低于2KV(eg.NMOS)，如果不考虑场氧击穿，NMOS如果不均匀导通也容易失效

andyjackcao

1),改变HBM电流，不在是1.34A是什么意思？
我想表达，测试2KV HBM时，由于高压管的内阻较大，不能忽略；2KV 时的峰值电流不再为2kv/1500 ohm=1.34 A
; I! `. J$ s, Z+ V
2),如何通过TLP测试来评价700V diode的ESD能力
  如果制作700V diode的process 一定的情况下（不变），因为diode反向击穿泻放ESD的能力与diode的面积，周长，形状相关。其中面积最为重要。
1 R% b0 d4 `+ s% E  是否 可以通过实验的方法来评价700 V diode的ESD能力
; q4 y4 n$ a& O4 O- M# Z( g4 z  绘制不同面积的diode layout（A，B，C。。。。），测试每类diode（A，B，C。。。）的TLP的各项参数。测试每类diode（A，B，C。。。）过HBM的能力
0 y" m. X0 ]# p0 K. |/ C4 b: p: E  那么这样就可以拟和出关于It2与HBM的曲线，从而来评估700V diode的ESD能力
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