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ANS 1,具体HBM值应当与TLP波形相关,若BV电平在1000V左右,It2在0.14A左右,不考虑测试时候寄生电阻误差 ...9 v/ I% P! P& K: v; V
CHIP321 發表於 2011-12-6 01:10 PM
# I. L( K) F2 n4 S
8 `& i4 @6 t6 V2 [5 \6 ~$ H5 C: f6 g* h, S9 L& I8 s2 t
版主說的TLP逆推HBM值,才是DUT的準確評估.6 w5 A5 @9 @8 l2 p5 ]% t
這是錯的, 在高壓元件中TLP已經不能準確呈現HBM level, 已經有journal發表過類似問題, 可以去收尋paper. 再高壓元件中It2高, 不一定ESD level就高, 有的It2很低仍然可以pass HBM 4K, 這個我也在實務上驗證過多次!/ W, V/ A; ~" G4 a) \) u2 O
: G* T" H) Y1 l, J/ H' L' W, w
700V超高壓元件, 除了考慮到電流擊穿oxide, 由於內阻大還需考慮到power, 雖然電流低但是700V的高壓, 可能導致元件power過大, 造成物理性的damage. 實務上最好的方法是測試function, 目前就單顆元件還沒有統一正式的測試方法, Hint:可由基本電性下去驗證. |
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