LDO的POWER MOS長度選擇?

satokazuo

LDO的POWER MOS長度用最小長度180nm(.18製程) OK嗎?
. q( b& t8 I) A+ q' M
目前使用TSMC 1P6M 0.18um 製作一顆LDO

利用常見的計算公式  加上要求Imax=50mA Vdrop=200mV KPp=66uA/V^2 帶入算出 W/L=38880
: S7 x; I, u% A8 Z" X5 B
明顯的用最小長度180nm製作出來的面積最小~但明顯的180nm表現出來是短通道效應，一般常用的長通道模型不適合。
) @) Y* g& J' t  x5 A
請問各路高手有何看法>?