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[問題求助] LDO的POWER MOS長度選擇?

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發表於 2011-10-29 15:44:56 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
LDO的POWER MOS長度用最小長度180nm(.18製程) OK嗎?
/ V7 j4 i+ H) `  n, Q  Z9 c1 c, H5 w. o) |
目前使用TSMC 1P6M 0.18um 製作一顆LDO5 S5 \; u# l3 ~7 ^: ^

8 e3 l1 Q$ w8 j6 j) x利用常見的計算公式  加上要求Imax=50mA Vdrop=200mV KPp=66uA/V^2 帶入算出 W/L=38880 * q0 D1 Z% I7 H" a, t4 ?) u
* B! c. J9 z7 F( X3 s
明顯的用最小長度180nm製作出來的面積最小~但明顯的180nm表現出來是短通道效應,一般常用的長通道模型不適合。
6 a4 p8 Y8 r7 n* U& n7 \. j  h4 M! R- m+ o' z
請問各路高手有何看法>?

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發表於 2011-11-6 07:47:55 | 顯示全部樓層
一般在作LDO的Power MOS我是不會用最小的minimum length,我會選擇minimum length再大一點的length,這是因為Fab的機台有好有壞,若用minimum作為Power MOS設計時,若機台的差異稍微差異一點就會影響很大,故而通常不建議4 U2 J6 i' j( D, N$ [3 {* `
至於要加多大,通常會加個0.3um~1um之間,看情況有所調整
發表於 2011-11-11 10:34:25 | 顯示全部樓層
0.5um, 0.6um 的話,我 L 都取min. length.  但 0.18um 沒作過,也許可以,也許不行。 下了才知道~ 這種事情也說不準XD
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