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10/13(四) 3D IC設計與測試研討會

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發表於 2011-9-27 15:45:59 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
30餘年來,IC設計的方向主要是藉由半導體製程微縮技術的進步,單位面積內電晶體的數量越多, IC的運算能力則越強。然而,受限於電晶體的物理極限,微縮技術的發展不僅困難,也增加IC設計的研發成本,因此3-D IC(Three-Dimensional Integrated Circuit)在幾年前重新開始被廣泛研究。3-D IC主要將兩個或以上的IC堆疊,使用TSV(Through-Silicon VIA)作為各IC之間垂直方向的信號導線。由於垂直堆疊,可輕易提高單位面積內電晶體的數量,進而提高單一IC的運算能力,與微縮技術比起來,研發成本相對低廉。
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' P6 ]1 Q) X! Y9 K& D8 f相較於製造技術,3-D IC的設計與測試顯得是一個尚未被深入探索的領域。3-D IC的設計有別於既往系統晶片設計(SOC)的思維;在成本的限制下,3-D IC的測試是困難度非常高的挑戰。因此,我們希望藉由「3-D IC設計與測試研討會」,邀請有興趣的先進,與我們共同討論這個議題。0 W* E4 M: [1 w. ?/ G8 s3 L* i
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工業技術研究院資訊與通訊研究所 敬邀
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