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TE電路保護部產品經理Nicole Palma表示:“在與設計工程師一起工作時,我們發現IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產品故障的CBE所引起的問題。有鑑於此,我們強化了現有的小型低電容SESD器件產品線,提供20kV及更高的浪湧保護能力。這種更強大的保護能力可以協助製造商提升產品的可靠性,並將返修(field return)的次數減到最少,這正是在競爭激烈的電腦、行動、消費和汽車市場設計時的關鍵性考量因素。”
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! B. L+ g! n* u此新一代的SESD產品同時具有單向和雙向配置,以及1、2和4通道的版本,採用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能,這些器件的浪湧保護能力(4通道陣列為2.2A,1和2通道器件為2.5A)將有助於提供更穩健的性能。
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SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向),將有助於滿足HDMI、eSATA和其它高速信號的要求。其低鉗位電壓 (<15V) 則有助於達到快速啟動時間和將能量泄放 (energy let-through)降到最小。此外,SESD器件所具有的極低洩漏電流(50nA),則可在必須節省能源的應用中用來降低功耗。, n* `. y0 r* \9 ^$ { H0 @2 v
1 d7 d4 p+ w( x; H. ^! ]
型號:
# c- j! g P% e3 p0 o, w單通道:5 }7 p5 l0 S2 Y2 P; @ w5 | m
• SESD0201X1UN-0030-088 – 單向; 0201尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp;8.8V (典型) VBR
& N& | \0 l7 i- l+ e. q• SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向; 0201尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR/ s9 a; ~8 D. `9 P- j$ G
• SESD0402X1UN-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
0 x2 V3 r' J6 u/ `* a, l5 G• SESD0402X1BN-0015-096 –雙向; 0402尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR; `# Q b6 y5 V, T7 x
: u% l) V7 h. y- K2 Z" z# @4 G多通道:
, Y9 O3 }5 j3 }3 H2 S' O• SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR8 R" Y& t/ d* {& v. j
• SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向; 1004尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR9 O E; |4 q( D% e' L% Z2 _( X
$ R' M k ^4 `: z3 U# P# r, Z) G價格:按要求提供
8 C) U4 |" S; l- r7 r8 z3 F4 i7 _供貨:樣品供應中
: j# j8 F, |5 d- p Y付運:交貨期為12周 |
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