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隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進,也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸,而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制,並將取代目前的主流記憶體。
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迎接未來4G通訊時代,下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬,以支援4G時代手機傳輸功能的需求,而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC,將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨,並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。: A( R8 {" P* f. t$ f% Y1 E
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有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態,此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」,提供各界更多元的思維,搶先掌握商機。 " S0 I! t( ^8 G5 x
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主辦單位: 經濟部技術處
& U! ~! U4 ]" |1 {# ?協辦單位: ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會 # H& G6 a: o" d
時 間: 2011/9/1(四) 13:30~16:20 6 k# t; _" h2 j# ]) s _: k6 g6 O
地 點: 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊)
, G2 d# u6 x5 W, [ g活動費用: 新台幣$500元整
% Y8 P/ N: T! d0 B報名方式: 網路報名:至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。 |
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