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主要規格2 K9 a# Y' y( H! {) |, P- I( L5 P6 A
7 X2 a0 ?# d2 q% K
• 低導通電阻:18.4mΩ
7 o! B2 U3 P# Y7 j- a- L• 低工作電壓:0.75V * U0 W1 `6 X, e* B( {' |+ S2 p( @$ Q
• 低待機電流:0.6UA[4] ! x1 t8 K' T4 F. ?0 d
• 反向電流阻隔電路 7 b( Z/ N" Z Q j) i( G
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
; Q+ j0 I' d% C+ B• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) 8 I: |9 H; F6 p* L: V' `1 l
. K9 I9 N$ u' M2 q' Z
注; T6 l% Y* _1 b9 x' N R
[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。% E9 L$ f ?3 ^$ _ R+ r
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。
0 l8 I" C$ {- o[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。& K# K) [4 p5 P+ t# m
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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