|
主要規格7 }5 b( U9 n* n$ G, a4 y
; k: t, t9 Q6 _. w5 g/ u• 低導通電阻:18.4mΩ
9 {7 G( u9 s) q$ |3 g5 K* o• 低工作電壓:0.75V 3 I; G' U& M9 G7 `; F9 ~
• 低待機電流:0.6UA[4] / z" m# ^; N0 k2 |1 g8 x, [) h
• 反向電流阻隔電路
' `: q/ w6 J1 J3 K5 m) f• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)* [3 Z0 C8 x+ }
• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) ; T$ Q. w& i& A) d3 ^; W
9 [- _! n& T- J- v7 v2 }注, L; d/ S+ X$ ^5 w, J
[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。' K1 [+ b3 L: b' T; _
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。' h1 J+ a9 M0 r5 d; g# L
[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。
; p/ T7 F+ b- T* b[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
|