不受溫度，電源 引影。Clokcclock generator

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一般的Clokc generator都會溫度，電源與負載狀態影響，如果我要減少這些影響
是用哪一種的架構比較好。頻率500KHz狀態。有思考過要在電源輸入上用DC2DC電路來穩壓減少電源引想。
但是也想過是不是用Bandgap referent 當Clokc generator來解決溫度，電源的影響，但是我不確定Bandgap referent
可以驅動Clokc generator那些電路會比較好。

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謝謝分享~不過我在尋找是RFID用的，希望可以低功率的Clokc generator。我會再多找些資料看有沒有我需要的資料。

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相互交叉振盪方式是用Ring-OSC 的方式嗎?因為我找到的都是用Ring-OSC，至於前端跟你說的一樣有接上Bandgap電路。

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板主finster ，因為我的VDD 範圍很低在0.9以上到4.0以下。
我找到幾篇資料發現OP使用CMOS基腳當作輸入的方式來產生，
1 C% Z6 ?) h4 ~  i在低電壓操作，但是我本身沒有做過低電壓的電路，感覺這電路有問題
; b8 @/ i1 l1 ^4 s9 v但是不知道他的工作原理是什麼?所以想請問一下，它是怎麼動作。

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頻率調整~應該藉由當電容的NMOS跟電阻去調整吧，但是以0.18um去做她最低的VDD是1.5嗎?還是多少~想問版主有應像嗎~因為我VDD range 很大。

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板主，我bangap是使用一般方式去做VREF(BJT和OP的架構)，但是我最近找到的資料。
( m- X8 g5 ^4 C6 {+ z' i9 b4 e$ {有些在低電壓的VREF，是使用MOS的subthreshold current去設計，
+ {- ^# M! u4 a3 T) S2 ^# g可以讓supply的最低電壓壓低，並且他的使用面積也很小，為什麼還是很多人使用一般BJT架構阿?
我思考過是因為對溫度的靈敏度的問題，但是如果是要用在RFID的被動式TAG，
; ]9 i  @8 Z6 J; H* \4 U是不是只能使用MOS的subthreshold current去設計。類似這篇論文。

c3a1t039

我是用0.35um，模擬Bandgap(BJT)電路最低電壓模擬是在2.1可以正常操作(5 MODE)。
跟我計算的Vtn 和Vtp的結果差多0.2V，而我實際上希望可以在1.2正常工作，所以我考量別的電路。

至於我的VDD想在 0.9-3.6之間，所以我可能也需要一個LDO去將我的VDD固定。但是就如同你說的我的這壓太低，我LDO輸出會比0.9低，根本不能驅動什麼電路，我要在思考我的最低電壓。