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推薦Allen~裡面OP講很詳細!9 O! ^) W0 y+ G
不過一般跑OP模擬，就要先確定每顆MOS都是在Saturation!: c9 G4 L u, R% ` V
然後再看你的Gain, Phase, Band Width是否足夠!( J% T+ i: J+ q# M" m+ O
進而在做:
4 Y' F* y+ Q4 g9 t4 Q/ i1.Output swing region9 o0 F# D0 i7 b$ `3 o
2.Offest Voltage
/ e S1 p( X" T! `- n3.Input Common Mode Range (ICMR)
' ~. p+ A, K# f# S4.CMRR% i& {& C6 d6 ^8 @" a4 q
5.PSRR+ & PSRR-
3 j: S+ O7 z1 K# w6.Rising & falling time- ^2 W0 v+ _! e. X# k( Q, [5 h- w5 B$ P
7.Slew Rate & `0 Z, ^( o1 z0 r+ T
8.Settling time F8 G' T$ f, x$ ?5 X9 x# Y
9.Noise
8 l4 `8 z5 e: z. _+ T7 T9 k10.THD+ p9 ?: V# o P1 H" Y' a
" A4 A I4 k# o9 m. u4 [! b以上都作完了後，別忘了還有5種的 corner simulation，正負10%的VDD變異以及溫度0~70度的模擬，這樣才算是一個比較完整的模擬內容。 |
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狗仔卡
發表於 2011-5-20 12:07:51
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