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由於DRAM Memory之技術與產品應用(如Low voltage, high speed, high bandwidth等)進展極快,有許多機會與挑戰值得深入瞭解,有鑑於此,我們特別邀請在國際Memory產業界知名專家:沈武博士及國內相關業者專家於2月14日同針對先進記憶體、構裝與產品應用等議題作深入探討,歡迎相關人士或對此課程有興趣者報名參加!
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主 題:先進記憶體技術產品應用發展現況及3DIC整合機會
, G6 j% t$ l4 m$ }指導單位:經濟部工業局 2 m) @9 @: `# H
主辦單位:工研院資通所/電光所 * n0 E R/ x1 B- x1 A! V
時 間:100年2月14日(星期一) 9:30~12:30 (9:10開始報到)
" j% g; N- x3 ~! N地 點:工研院中興院區51館2B會議室(新竹縣竹東鎮中興路四段195號)
# S/ w6 b l& _- C, r1 w. Y* {講 師:沈武 博士, Principal Engineer, LSI Corporation, USA & ^; b% B7 H8 V3 ^) B/ O
◎ JC42.3B Letter Committee Vice Chair at JEDEC
; D7 z5 l+ j% m! u◎ Sr. Application Marketing Manager, Product Definition and Innovations at Qimonda USA
% e" f/ F5 [; f" C0 f( O4 E) `- }◎ Application Marketing Manager at Infineon Technologies. % x4 m9 o5 U8 a0 B2 I
◎ Lead System Design Engineer at HAL Computer Systems
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: [6 X3 h2 ^( o# v5 Z* V2 p議 程: E, d% O8 V8 x' g3 n
DDR Memory (I)
- u; x: `; B' G( ?) s●Highlight of DDR3
: l! L8 Z E1 J( q0 |) d●Power Ramping, Reset 6 v( i" k4 U8 D: l& F) q# R
●Address/Command line structure and fly-by; Read and Write leveling 1 D5 ~* k! `. U3 I& e6 N( F
DDR Memory (II)
; c+ b: \" T5 [- i( r% }( ^6 U●Data Path ODT and Dynamic ODT Usage * z1 U1 s. R9 F d3 _
●Challenges on DDR3 derivatives: lower voltage (DDR3L, 1.35V) and higher speed (DDR3E, 1866/2133Mbps) |
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