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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
3 Y1 c) l3 K2 s. g1 a" _' u+ R•汽車點火器用IGBT單管' D& Q; J9 ~, |0 S+ ?$ ?* b8 b. N# c
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
( [1 A, t p7 V4 S+ ^6 G* C•新能源汽車用IGBT晶片及模組
- {. z9 \9 { K) m針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。: S0 B0 i& G$ J8 j9 P. m' ~. C
二、技術指標* A1 U. Z* ]1 G( I* u& g# z
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
1 h( u/ ?: K2 v* s2 j) _主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
9 F5 T$ a( P/ {集電極-發射極電壓 VCES 400-600V# t! l7 y E# f* z
集電極直流電流 IC 10-40A
: u$ V( x7 d% r& G* a W/ @4 ~集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V( G8 E) @" i' m# U' }
•新能源汽車用IGBT晶片及模組+ D# s- F5 o* N9 M+ p, V
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值! K5 n7 J- z) ^8 }5 ?
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V$ p) G9 P3 f; u* d9 u9 Y
集電極直流電流 IC 100A 800A
- u" @) V1 B. \# V1 k. C3 ]( X4 X集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
9 N; H) A" Q$ y! K7 _: q; R2 D三、經濟指標
7 J3 z! V* D0 b! e8 @4 p6 c•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
# R2 P; m4 x% z9 W+ I1 k•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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1 Y- }8 c0 Z v/ \$ o8 N
8 y- @5 U; y, g( b合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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