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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
( O( p, T6 O, E6 q, z h•汽車點火器用IGBT單管* q3 Y' Y. V$ t( K; S
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
% v% V9 c3 g1 G) `( l•新能源汽車用IGBT晶片及模組
5 o! m _0 T% O8 t- u# X* F( D針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。" w. h. X! [8 x) e3 V( M
二、技術指標
/ v, e+ o- x& x/ p* s9 L•汽車點火器用IGBT晶片及單管
& r) `; W/ L3 t& t1 v2 m' H主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值4 d4 A) k) Z* K" t9 ]! s
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
* k' b ]; @1 o% c' n9 n8 M* y( I- D集電極直流電流 IC 10-40A+ k `# M* Z( D O
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V" S: E3 Q5 Q' Q; ?, {% r
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
2 h& o% V, _7 y& V主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
0 R" C9 \1 W# s! ?集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
/ q6 F+ ^" c7 v3 |8 H( V3 D/ B集電極直流電流 IC 100A 800A- y9 {) E9 d" U8 ]0 b$ |& D
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V% {% q- P7 F/ N7 @
三、經濟指標
4 [! S9 I1 J4 D! G3 i•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
' Q. O$ Q& B3 O; p, ?& T* u3 a•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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$ a0 ?( k" d4 }合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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