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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
$ P0 B7 v; T7 `1 f" i7 W) W# y% q4 ~•汽車點火器用IGBT單管( k1 Z8 B% l: t4 z
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
3 w& }1 I$ N% c6 J# s. {•新能源汽車用IGBT晶片及模組
: e7 F% V% H1 l針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。6 h) a4 K6 p {! `5 @5 H; M- G
二、技術指標 D% M/ Z: K2 @2 ?
•汽車點火器用IGBT晶片及單管* A/ I+ h- c0 }: r
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值6 D; o; w; W: N; Z
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V: i* O6 V% q( {# |, L
集電極直流電流 IC 10-40A
j; h" {8 ]( E# n v集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V' b: U% `. e* n0 Z: J
•新能源汽車用IGBT晶片及模組% I9 X8 w# U! e8 S" X$ y
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
- I0 p) a" P( E集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
9 \8 {+ e: p, Y! w1 e集電極直流電流 IC 100A 800A, x, H8 t7 z1 W+ I% O$ S
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
8 g% y* A) j, T2 E, ~: H# ^4 Z三、經濟指標
" @( _( F( e& \' r# i•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。" M( s S: r- A- i" a
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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. X, s3 A+ i$ O0 W- f: j" ^0 |: a合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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