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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:7 N; e) w- y" _% O
•汽車點火器用IGBT單管
( t, Y& H$ V! g/ S* }8 q針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
' p+ G% t: u8 Y1 O2 ^•新能源汽車用IGBT晶片及模組
% x. Z8 U4 P5 v0 C; A針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
T' D9 N) d" B; J R) z二、技術指標
9 G1 H6 Z$ |- v; X: D& _•汽車點火器用IGBT晶片及單管
, }0 J0 s# B: f$ ?7 v主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值' d: h: F6 s0 {6 i6 U
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V6 e" N& G4 s3 M$ t: S9 u8 F9 Z! A
集電極直流電流 IC 10-40A
) Z9 P& w' y0 j: {集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
8 s! {; r" a- o) S+ z•新能源汽車用IGBT晶片及模組0 V# n8 v: n9 x, a
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值: M3 B: ]" G" x. }0 ?
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V! O% q+ Z2 r4 l# B9 R
集電極直流電流 IC 100A 800A5 `4 t. a9 ~ R
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
' a# m% U- p9 M* \& y4 I0 p! l三、經濟指標 q; o, c$ |- u' L8 @: S* l
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
' v2 T; [5 R8 u# q# E•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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9 }: F4 ]. k) W: U v合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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