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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:( ]8 B9 J6 m, k p, r8 T
•汽車點火器用IGBT單管
$ `1 u9 q5 y& |6 t0 }; e1 N針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
f* E; u; Q0 ~0 F. k+ l. v1 e•新能源汽車用IGBT晶片及模組
3 T" h4 t+ t) n針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
, |! t J. \( Q: W. j二、技術指標
7 B/ M3 S( }4 r: L$ p* @& r3 i d•汽車點火器用IGBT晶片及單管
8 i5 }. e `+ D主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值. w9 {7 R6 N% e# i5 p- B. h# n* p
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
5 E; Q1 @5 z0 r+ R/ @& J, S集電極直流電流 IC 10-40A
5 z" O d3 ^3 B0 X* c) R集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
. N* l+ @1 i/ X* n8 f Q; \•新能源汽車用IGBT晶片及模組+ D+ H/ c/ ?$ T% K5 G$ m' y$ c
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值1 P% B8 l q3 v; U, o: `0 I
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V! F+ d4 d* z8 b/ ]( [* ^
集電極直流電流 IC 100A 800A
9 r+ g' ?( W. ]4 @/ |集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
9 w* T8 Z$ C; N4 m三、經濟指標
, O& H# y) `( M4 B: {8 f' R+ ~: {•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
- H. [ ?. `% G6 J; O$ [ B•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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