ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
5 I( a8 L1 l- d8 i( h2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
* C& Q+ }. O+ d1 w, E0 t失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
6 v9 ~0 M* t% w. `, N2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
0 R9 p# B3 n; b  U0 h要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
9 ^/ @$ T7 T( N1. 請問製程為何?
! K) C$ s; l1 q. d2 S: e2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
7 a( K" _( \6 [( Y% }6 Eklim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
) t; |9 Q4 @( e+ m
2 |( D6 H) m1 a6 |, A3 s' M6 U1 e2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
+ d- G, H+ N; s" i两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
' ?4 z) U' K9 s1 r# Q5 J均勻是指什麼
0 j5 U* R, m  M8 r+ V方便貼圖上來嗎