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[問題求助] ESD失效分析求助

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發表於 2010-11-20 14:59:18 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
2颗VDD到地测试
7 A( v1 k1 y- T8 ]1),第1颗从500V开始测试,大部分在500V时就失效
- a( I# |/ T! R1 o2),第2颗从1000V开始测试,大部分在1500V时失效4 J7 Q/ [: z( B8 l0 ^
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
9 Y3 d! Z4 _% F失效机理是怎么会事,多谢
發表於 2011-1-18 14:32:02 | 顯示全部樓層
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:4 r2 L+ h/ y$ I# o
1. 請問製程為何?
1 v8 j7 j# n/ L* x+ N2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?. D5 A& s" F1 R& w: I; L
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
4 N; j6 M, g0 X要有上述的數據才能做最基本的分析.
 樓主| 發表於 2011-3-27 11:34:00 | 顯示全部樓層
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
: X$ g$ V# c$ U& x. O- {4 V; R1. 請問製程為何?/ \, w  t2 }4 I/ o
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
: W4 ~: ~+ G$ N1 h5 W6 r8 Q0 ~klim 發表於 2011-1-18 14:32
5 h( ]" Q8 Z3 E

5 a1 A  u5 u" w1), 請問製程為何?
7 g* S2 \6 d% q6 ?) o tsmc 0.18um
( y- V& _# z  \# P4 J5 {( a6 G# z" x6 u0 o) Z! ^! @8 W1 E! v
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ..., G- F. O! q7 ~4 H
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打2 \  p, g% R6 x3 O

5 R% V7 |+ a9 h+ ]# j3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
發表於 2012-2-12 13:41:58 | 顯示全部樓層
感兴趣问题的进展,是样品概率问题吗?
 樓主| 發表於 2012-3-13 20:20:27 | 顯示全部樓層
感谢关注,ESD问题已经解决
發表於 2012-7-12 12:21:25 | 顯示全部樓層
how to resolved it????
 樓主| 發表於 2012-8-21 21:40:30 | 顯示全部樓層
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路
發表於 2013-10-13 02:30:06 | 顯示全部樓層
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路 ??
# W& T, n) }$ X( k1 G( |) L均勻是指什麼
+ y0 U4 \% S# m' d: |  J方便貼圖上來嗎
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