二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
  F) _+ U" Z$ \3 R5 n我考虑到的有：
  i3 z, i- F" P3 [) B( _$ z1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
1 \7 k) h7 W( m2 b2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
  e( m2 i. F3 m; }: d& m9 m3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
结论对不？
多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
. I0 g4 Z2 ]% L; B4 }+ T0 R2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
# \+ t4 O" q# {$ g* A% _如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。