二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
我考虑到的有：
& Y1 q( H  r2 t! y( Q4 d1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
7 k1 h, @* N3 M% |  @5 c% ]3 `3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
结论对不？
多谢

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮

謝謝

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
8 A4 k" c: ^' i  V2 [. O2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下